Durch mechanisches Aufspalten von Graphit (Highly Oriented Pyrolytic Graphite, HOPG) können Monolagen (Graphen) extrahiert werden. Dieses als „Cleaving“ bezeichnete Verfahren ist stark zufällig und erzeugt inhomogene Schichtdicken von Monolagen (Graphen) bis zu vielen Nanometer dicken Graphitschichten, wobei die laterale Ausdehnung der Schichten ca. 1-10 µm beträgt. Auf diesem Weg hergestelltes Graphen wird anschliessend durch einen Vergleich von optischer (OM) und Elektronenmikroskopie (REM) lokalisiert.
Bei AMO/IHT wurden bereits grundlegende Untersuchungen zur Herstellung von Graphen mit diesem Verfahren durchgeführt.
Ebenso ist es möglich, Graphen durch die Dekomposition von Siliziumkarbid (SiC) herzustellen. Hierbei verdampft in einer Ultrahochvakuum-Kammer das Silizium inkongruent aus der Oberfläche eines SiC Einkristalls aufgrund des höheren Dampfdrucks von Silizium gegenüber Kohlenstoff. Der verbleibende Kohlenstoff ordnet sich daraufhin in der hexagonalen Graphenstruktur an.
